fetel    
Bạn đang ở : Trang chủ > Bộ môn Điện tử
gebelik hesaplama sitesi gebehamile.net gebelik hamilelik ve doğum sitesidir. pvp serverler - atasehir web tasarimi antalya escort rus
Bộ môn Điện tử
Giới thiệu Bộ môn Điện Tử PDF. In Email
Viết bởi Administrator   
Chủ nhật, 10 Tháng 4 2011 15:55


BỘ MÔN ĐIỆN TỬ

Bộ môn Điện tử (BMĐT) thuộc Khoa Điện tử - Viễn thông có hai nhiệm vụ chính là tham gia đào tạo đại học, sau đại học và nghiên cứu khoa học theo hướng vi điện tử và điện tử nano.

Để thực hiện hai nhiệm vụ kể trên việc xây dựng đội ngũ giảng viên là một trong những nhiệm vụ hàng đầu và thường xuyên của BMĐT. Danh sách giảng viên của BMĐT được trình bày trong bảng 1.

Bảng 1: Danh sách giảng viên của BMĐT

 

TS. Bùi Trọng Tú – Trưởng bộ môn

GS. TS. Đinh Sỹ Hiền
GVC. Nguyễn Tăng Vinh*
ThS. Nguyễn Thành Long*
CN. Lâm Lệ Phương*
CN. Nguyễn Hướng Việt
ThS. Trần Xuân Tân
ThS. Lê Đức Hùng**
ThS. Nguyễn Duy Mạnh Thi
ThS. Bùi An Đông
CN. Trương Thị Kim Tươi **
ThS. Trần Trung Hiếu**
ThS. Nguyễn Thị Thiên Trang
CN. Nguyễn Ngọc Hùng

Chương trình giảng dạy chuyên đề theo hướng vi điện tử và điện tử nano được trình bày trong bảng 2. Sinh viên chuyên ngành Điện tử phải hoàn thành các chuyên ngành bắt buộc này mới được nhận đề tài khóa luận tốt nghiệp. Để đảm bảo chất lượng giảng dạy, giảng viên phụ trách các môn chuyên ngành đã qua các lớp đào tạo hoặc đã và đang thực hiện các đề tài nghiên cứu liên quan đến môn học.

Bảng 2: Chuyên ngành Điện tử

STT

Môn học

Giảng viên

1

2
3
4
5
6

7
8
9
10

11

12

13

14

15

Linh kiện và mô hình (Devices and Their Models)

Thiết kế điện tử công suất thấp (Design of Low Power Electronics)
Thiết kế vi mạch tương tự (Design of Analog Integrated Circuits, IC)
Thiết kế Vi mạch số (Design of Logic Integrated Circuits)
Ngôn ngữ thiết kế (Design Languages)
Thiết kế bộ vi xử lý (Design of Microprocessor)

Xử lý tín hiệu VLSI (VLSI Signal Processing)
Công nghệ VLSI (Very Large ScaleIntegration Technology)
Linh kiện điện tử nano và công nghệ (Nanoelectronics: Devices and Technology)

Các hệ thống Vi cơ điện và nano cơ điện (Micro Electro-Mechanical Systems (MEMS) and Nano Electro-Mechanical Systems (NEMS)).

Seminar về vi điện tử và điện tử nano (Seminar on microelectronics & nanoelectronics)

Thực hành thiết kế vi mạch tương tự (Lab for design of analog IC)

Thực hành thiết kế vi mạch số (Lab for design of digital IC)

Thực hành thiết kế Bộ nhớ (Lab for design of memory)

Thực hành thiết kế Bộ vi xử lý (Lab for design of microprocessor)

ThS Nguyễn Thành Long
TS Bùi Trọng Tú
TS Bùi Trọng Tú
ThS Bùi An Đông
ThS Trần Xuân Tân
ThS Nguyễn Duy Mạnh Thi
PGS TS Đinh Sỹ Hiền
PGS TS Đinh Sỹ Hiền
PGS TS Đinh Sỹ Hiền
PGS TS Đinh Sỹ Hiền

PGS TS Đinh Sỹ Hiền

ThS Nguyễn Thị Thiên Trang
ThS Bùi An Đông, Nguyễn Ngọc Hùng
ThS Bùi An Đông, Nguyễn Ngọc Hùng
ThS Bùi An Đông,  Nguyễn Ngọc Hùng

 

Phòng thí nghiệm

$11.     Phòng thí nghiệm Điện tử gồm các máy phát xung, dao động ký và các bài thực tập điện tử cơ bản.

$12.     Phòng thí nghiệm chuyên đề điện tử bao gồm phần cứng và phần mềm phục vụ các bài thực tập thiết kế IC. Các thiết bị đo: dao động ký và máy phát xung tần số cao. Phòng thí nghiệm này dự kiến sẽ được trang bị hiện đại nhờ dự án mà Khoa Điện tử-Viễn thông nhận được dưới sự tài trợ của ĐHQG TP HCM.

Cơ sở khoa học và minh chứng để xây dựng hướng nghiên cứu

  • Ngày nay VLSI (very large scale integration) trở thành trung tâm của công nghiệp điện tử và CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) là công nghệ chính.
  • 95% vi mạch (IC) được chế tạo dựa trên CMOS.
  • Doanh số bán IC là 250 tỷ US$ vào năm 2007, đứng đầu trên các ngành công nghiệp.
  • IC là sản phẩm do con người chế tạo ra có ảnh hưởng sâu sắc nhất đến tiến bộ xã hội và công nghệ.
  • Ngoài CMOS sẽ là điện tử nano.

Mật độ transistor trên chip tăng theo định luật Moore (Hình 1), nghĩa là cứ mười tám tháng đến hai năm số transistor trên chip tăng gấp đôi. Từ hình 1 ta nhận thấy, số transistor trên chip vào năm 2010 là 109 và trên thực tế chế tạo hãng Intel đã đạt mật độ này.


Hình 1. Mật độ transistor trên chip (bộ nhớ hoặc bộ vi xử lý) tăng theo định luật Moore.


Các nút công nghệ cũng giảm theo định luật Moore (hình 2): chiều dài của transistor trên chip của Intel vào năm 2003 là 90 nm, năm 2009 là 32 nm. Giới hạn vật lý của chiều dài transistor có thể là 10 nm.



Hình 2.
 Chiều dài transistor trên chip giảm theo định luật Moore.

Chi phí để chế tạo một transistor trong một chip vào đầu những năm 1970 là 1 USD (hình 3), vào năm 2002 là 100 nano USD (1 nano USD = 10-9 USD). Việc giảm chi phí giúp các nhà chế tạo tăng tốc việc chế tạo IC ngày nay.



Hình 3.
 Chi phí để chế tạo một transistor trên chip cũng giảm theo định luật Moore.

Chi phí cho nhà máy chế tạo IC cũng tăng theo định luật Moore (hình 4): vào những năm 1980, để có nhà máy chế tạo IC cần 100 triệu USD, chi phí nhà máy chế tạo IC (đường kính wafer 300 mm) năm 2000 là 5 tỷ USD. Đây là khó khăn lớn nhất mà công nghiệp chế tạo IC dựa trên CMOS gặp phải.



Hình 4.
 Chi phí nhà máy chế tạo IC tăng theo định luật Moore.

Để giải quyết những khó khăn kể trên, nhiều nhóm nghiên cứu đang tìm kiếm công nghệ mới, phương pháp mới để chế tạo IC, trong đó các linh kiện điện tử nano như transistor đơn điện tử, transistor spin, transistor phân tử và transistor ống nano carbon (CNTFET) là những ứng cử viên đầy tiềm năng vì chúng có kích thước bé, công suất tiêu thụ nhỏ, tốc độ chuyển mạch cao.

Đào tạo sau đại học

Hướng dẫn tốt nghiệp đại học, cao học, nghiên cứu sinh là niềm tự hào của giảng viên trong BMĐT.

Bảng 3 liệt kê các nghiên cứu sinh và cao học đã và đang nghiên cứu tại bộ môn Điện tử.

Bảng 3: Danh sách nghiên cứu sinh và học viên cao học do giảng viên BMĐT hướng dẫn

STT

Họ và Tên

Đề tài NC

Thời gian NC

1

2

3

TS Trần Tiến Phức
NCS Nguyễn Thị Lưỡng
NCS Lê Hoàng Minh

Mô phỏng transistor phân tử

Mô phỏng CNTFET

Mô phỏng transistor đơn điện tử

2005-2008

2007-2010

2007-2011

1

2
3

4

5

6

7
8
9
10
11
12
13
14

15
16

Phạm Thành Trung
Bùi An Đông
Huỳnh Lâm Thu Thảo
Nguyễn Vân Lê Thanh
Huỳnh Hoàng Trung
Thi Trần Anh Tuấn
Nguyễn Văn An
Nguyễn Thị Thanh Nhân
Đinh Việt Nga
Lê Minh Tuấn
Bùi Văn Nguyên
Vũ Thị Ngọc Thu
Nguyễn Thị Thiên Trang
Le Thi Linh An
Lâm Hữu Hùng
Lê Văn Tùng

Mô phỏng điôt đường hầm cộng hưởng (RTD)

Mô phỏng chấm lượng tử (QD)
Mô phỏng sự vận chuyển của transistor đơn điện tử (SET)

Mô phỏng đặc trưng của transistor xuyên hầm cộng hưởng (RTT)

Mô phỏng đặc trưng dòng thế của transistor phân tử sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng (NEGF)
Mô phỏng đặc trưng của CNTFET

Mô phỏng đặc trưng dòng thế của FeFET
Mô phỏng transistor Spin (SPINFET)
Mô phỏng đặc trưng dòng thế của CNTFET phẳng
Mô phẳng đặc trưng dòng thế của SET
Mô phỏng đặc trưng dòng thế của CNTFET đồng trục
Mô phỏng đặc trưng dòng thế của SET
MOSFET model parameter extraction
A soft error tolerant SRAM design in 130 nm CMOS technology

A VLSI implementation of cordic processor
FPGA implementation of LSB algorithm for audio watermaking

2006

2007
2007

2007

2008

2008

2008
2008
2009
2010
2010
2010
2010
2010

2010
2010







Danh mục các công trình khoa học đã công bố

Các giảng viên trong BMĐT ngoài việc giảng dạy tốt còn giành nhiều thời gian cho nghiên cứu khoa học. Nhiều báo cáo khoa học đăng trong các kỷ yếu hội nghị, tạp chí trong và ngoài nước do các giảng viên BMĐT là tác giả chính. Những kết quả khoa học này sẽ giúp minh họa và làm sống động các bài giảng trong thực tế giảng dạy.

Bảng 4: Các công trình khoa học đã công bốtrong thời gian gần đây

STT

Công trình khoa học đã công bố


1



2


3


4


5


6


7


8

9


10




11

12


13

14

15

16

17


18


19




20


21


22


23


24

25


26

27

Năm 2008
Dinh Sy Hien, Thi Tran Anh Tuan, Nguyen Thi Luong, Dinh Viet Nga, Modeling of planar carbon nanotube field effect transistor and three dimensional simulation of current-voltage characteristics, Proceedings of APCTP-Asean Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008), p. (469-476) Nhatrang, Vietnam, September 15-20, 2008.
Dinh Sy Hien, Le Hoang Minh, Huynh Lam Thu Thao, Modeling Transport in Single Electron Transistor, Proceedings of APCTP-Asean Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008), p. (620-624) Nhatrang, Vietnam, September 15-20, 2008.
Dinh Sy Hien, Nguyen Thi Luong, Thi Tran Anh Tuan, Dinh Viet Nga, 3D simulation of Coaxial Carbon Nanotube Field Effect Transistor, Proceedings of APCTP-Asean Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008), p. (642-649) Nhatrang, Vietnam, September 15-20, 2008.
Dinh Sy Hien et al., Development of Quantum Device Simulator, NEMO-VN, Proceedings of APCTP-Asean Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008), p. (1070-1079) Nhatrang, Vietnam, September 15-20, 2008.
Dinh Sy Hien, and Huynh Hoang Trung, Modeling of Molecular Field Effect Transistor using Non-Equilibration Green Function Method, Proceedings of APCTP-Asean Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008), p. (1080-1087) Nhatrang, Vietnam, September 15-20, 2008.
T.C. Duan, T. Nakano, J. Matsumoto, I. Watanabe, T. Tsuzuki, T. Kawamata, A. Amato, F.L. Pratt and Y. Nozue, “mSR study on ferromagnetic properties of Rb clusters incorporated into zeolite A”,  Physica B (2009), doi: 10.1016/j.physb.2008.11.119.
T. Nakano, J. Matsumoto, T.C. Duan, I. Watanabe, T. Tsuzuki, T. Kawamata, A. Amato, F.L. Pratt and Y. Nozue, “Fast muon spin relaxation in ferromagnetism of potassium clusters in zeolite A”,  Physica B (2009), doi: 10.1016/j.physb.2008.11.120.
T.T. Bui and T. Shibara, Compact bell-shaped analog matching cell moduls for digital memory based associative, Japanese journal of applied physics, vol. 47, No 4, pp. (2788-2796), 2008.
T.T. Bui and T. Shibara, A multi-core/multi-chip scalable architecture of associative processor employing bell-shaped analog matching cell, in Proc. 9th international conference on solid state and integrated circuit technology (ICSICT), Beijing, Oct. 20-23, p. (1819-1822).
Trung Hieu Tran, Hyo-Moon Chom and Sang Bock Cho, Performance enhancement of motion estimation using SSE2 technology, In proc.of word academy of Science Engineering and Technology, vol. 30, July, 2008..

Năm 2009
Dinh Sy Hien et al., Development of quantum device simulator, NEMO-VN1, Journal of Physics. Conference Series, vol. 187, 012088, UK (9pp) (2009).
Dinh Sy Hien, Thi Tran Anh Tuan, Nguyen Thi Luong, Dinh Viet Nga, Modeling of planar carbon nanotube field effect transistor and three dimensional simulations of current-voltage characteristics, Journal of Physics. Conference Series, vol. 187, 012049, UK (8pp) (2009).
Dinh Sy Hien, Le Hoang Minh, Huynh Lam Thu Thao, Modeling transport in single electron transistor, Journal of Physics. Conference Series, vol. 187, 012060, UK (8pp) (2009).
Dinh Sy Hien, Nguyen Thi Luong, Thi Tran Anh Tuan, Dinh Viet Nga, 3D simulation of coaxial carbon nanotube field effect transistor, Journal of Physics. Conference Series, vol. 187, 012061, UK (8pp) (2009).
Dinh Sy Hien, and Huynh Hoang Trung, Modeling molecular field effect transistor using non-equilibrium Green function method, Journal of Physics. Conference Series, vol. 187, 012087, UK (8pp) (2009).
Đinh Sỹ Hiền, Huỳnh Hoàng Trung, Mô phỏng đặc trưng dòng thế của transistor trường phân tử, Tạp chí Phát triển Khoa học và Công nghệ, ĐHQGTP HCN, Tập 12, No 12-209, p. (5-12), 2009.
T. Shibata and T.T.Bui, Computing based on the physics of nano devices—a beyond-CMOS approach to systems, in Proc. of Global COE Symposium on secure-life electronics, Tokyo, Jan. 20-21, 2009, p. (105-114), 2009.
T.T Bui and T. Shibata, A scalable architecture of associative processor employing nano functional device, in Proc. of 10th international conference on Ultimate integration of Silicon (ULSI), Aachen, Germany, Match 18-20, 2009, p.(213-216), 2009.
Trung Hieu Tran, Hyo-Moon Cho, and Sang Bock Cho, Performance enhancement of sum of absolute difference (SAD) computation in H264/AVC using saturation arithmetic, LNCS 5754, Springer Verlag Berlin Heidelberg, p. (396-404), 2009.

Năm 2010 

Dinh Sy Hien, Development of quantum device simulator, NEMO-VN2, Proceedings of fifth IEEE International Symposium on Electronic Design, Test and Applications, 13-15 January 2010, HCM City, p. 170-173, 2010.
Dinh Sy Hien, Dinh Viet Nga, Nguyen Thi Luong, Drain current degradation of planar CNTFET due to scattering, Kỷ yếu hội nghị Vật lý chất rắn và khoa học vật liệu lần thứ 6 (SPMS-2009), Đà nẵng 8-10/11/2009, p. (802-805), 2010.
Dinh Sy Hien, Nguyen Thi Luong, Le Hoang Minh, Updating quantum device simulator by using NEGF method, Kỷ yếu hội nghị Vật lý chất rắn và khoa học vật liệu lần thứ 6 (SPMS-2009), Đà nẵng 8-10/11/2009, p. (880-883), 2010.
Dinh Sy Hien, Huynh Hoang Trung, Le Hoang Minh, Simulating performance of single electron transistor using non-equilibrium Green function method, Kỷ yếu hội nghị Vật lý chất rắn và khoa học vật liệu lần thứ 6 (SPMS-2009), Đà nẵng 8-10/11/2009, p. (880-883), 2010.
Đinh Sỹ Hiền, Thi Trần Anh Tuấn, Nguyễn Thị Lưỡng, Mô phỏng một số đặc tính của transistor ống nano cacbon, Tạp chí Phát triển Khoa học và Công nghệ, ĐHQGTP HCN, Tập 13, No 12-2010, 2010.
T.T. Bui and T. Shibata, A low power associative processor with the R-th nearest match Hamming distance search engines employing time-domain technique, in Proc. The 5th IEEE international Symposium on electronic design, test and applications (DELTA 2010), HCM city, 13-15 Jan. 2010, p. (54-57), 2010.
Nguyen Duy Manh Thi, Bui Trong Tu, Design and simulation of 4´4 NoC Architecture, in Proc. of the first solid-state symposium (4S-2010), HoChiMinh city, June 17-18, p. 258-262, 2010.
Tran Trung Hieu, and Sang Bock Cho, Super resolution image filter, Journal of institute of electronics engineers of Korea (IEEK), vol. 47SP, January, 2010.

Danh mục các sách đã xuất bản

Việc xuất bản sách phục vụ giảng dạy cũng là một thành công và thế mạnh khác của BMĐT. Giảng viên BMĐT không những có khả năng biên soạn các sách tiếng việt mà còn bằng tiếng Anh.

Bảng 5: Các sách đã xuất bản và nơi xuất bản

STT

Tên sách, nhà xuất bản

1
2
3
4
5
6
7
8
9

Đinh Sỹ Hiền, Cảm biến và thiết bị đo, NXB Đại học Quốc gia TP HCM, 2004.
Đinh Sỹ Hiền, Thiết kế VLSI, NXB Đại học Quốc gia TP HCM, 2005.
Đinh Sỹ Hiền, Điện tử nano: Linh kiện và Công nghệ, NXB Đại học Quốc gia TP HCM, 2005.
Đinh Sỹ Hiền, Điện tử Hạt nhân, NXB Đại học Quốc gia TP HCM, 2005.
Đinh Sỹ Hiền, Linh kiện bán dẫn, NXB Đại học Quốc gia TP HCM, 2008.
Dinh Sy Hien, Electronic Circuit Analysis, VOCW, VEF, 2008.
Đinh Sỹ Hiền, Công nghệ VLSI, NXB Đại học Quốc gia TP HCM, 2010.
Bui Trong Tu, Solid state circuits technologies (chapter 2), ISBN 978-953-307-045-2, INTECH, 2010.

Dinh Sy Hien, Carbon Nanotube/Book 2. Modeling of carbon nanotube field effect transistors, ISBN 978-953-307-496-2, INTECH, 2011.

Đề tài nghiên cứu khoa học đã thực hiện

Nghiên cứu khoa học không những đóng góp trực tiếp vào xây dựng nền khoa học của nước nhà mà còn giúp giảng viên nâng cao trình độ phục vụ giảng dạy tốt hơn. Giảng viên của BMĐT đã và đang là chủ nhiệm các đề tài cấp trường ĐHKHTN, cấp ĐHQG, lãnh đạo các nhóm nghiên cứu theo hướng vi điện tử và điện tử nano trong quá trình khởi nghiệp của mình và trong tương lai sẽ chủ trì các đề tài nghiên cứu khoa học quốc gia và quốc tế. Bảng 6 trình bày đề tài cấp ĐHQG do giảng viên BMĐT là chủ nhiệm đã thực hiện thành công trong thời gian gần đây.

Bảng 6: Đề tài nghiên cứu khoa học cấp ĐHQG được thực hiện trong thời gian gần đây.

STT

Thực hiện

Tên đề tài

Mã số

Cấp

quản lý

Năm 
thựchiện

Xếp loại

1

Đinh Sỹ Hiền (CN), Nguyễn Thị Lưỡng, Lê Hoàng Minh, Đinh Việt Nga, Lê Minh Tuấn

Phát triển phần mềm mô phỏng linh kiện điện tử nano nổi bật: transistor đơn điện tử (SET), transistor ống nano cacbon (CNTFET), NEMO-VN2

B2010
-18-28

ĐHQG TP HCM

2010

Khá